详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1600 V 

集电极射极饱和电压: 1.7 V 

在25 C的连续集电极电流: 2400 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 10 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 48 mm  

长度: 190 mm  

宽度: 140 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 1只

对关断过程中电压尖峰的认识

通常在大功率的 通常在大功率的IGBT的应用中，有源钳位的功能是非常必要的 有源钳位的功能是非常必要的，而功率越 小，必要性越低。其原因是随着系统的功率变大，IGBT 的di/dt会增大，且 杂散电感也会越大，因此电压尖峰会越高。 下表说明不同IGBT在关断额定电流时的di/d 的水平 ( 从d h 中计算出 ) IGBT型号 关断额定电流时的di/dt FF150R12KT4 1500A/us 下表说明不同IGBT在关断额定电流时的di/d t的水平 ( 从 datas heet中计算出 )： FF150R12KT4 1500A/us FF1400R12IP4 7000A/us FZ2400R17KE3 15000A/us 在IGBT短路时，关断短路电流的di/dt会更高，比关断额定电流要高很多 ，因此短路时电压尖峰更高。所以有可能出现，驱动器发现了IGBT的短 路现象，并且也及时关断，但是由于di/dt太高，产生了非常高的电压尖 峰，在关断该短路电流后仍然可以打坏了IGBT。这时，有源钳位电路就 非常必要。 假设母排杂散电感为100nH，则在7000A/us的电流变化率下，电压尖峰 将高达700V。