详细参数

制造商: 英飞凌

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1600 V 

集电极射极饱和电压: 3.5 V 

在25 C的连续集电极电流: 1200 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 7.8 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 38 mm  

长度: 140 mm  

宽度: 130 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 2只

关于二极管的讨论

IGBT中的续流二极管，实际上是 个非常重要的元件 实际上是一个非常重要的元件，但往 往容易被忽视。请注意以下几条： 1. 在IGBT开通的时刻，实际上是续流二极管关断的时刻。 2. 所有的功率半导体 所有的功率半导体，包括IGBT芯片和二极管芯片 芯片和二极管芯片，在关 断的时刻面临的风险远大于其开通时面临的风险。换句话 说，在IGBT关断的时刻，IGBT芯片的损坏风险是最大的； 在IGBT开通的时刻，二极管芯片的损坏风险是最大的 极管芯片的损坏风险是最大的。 3. IGBT芯片出现短路时，驱动器可以帮忙保护；但二极管 芯片损坏时，没有其他的防护手段

IGBT开通过程中二极管的风险点

二极管的电压尖峰是由于杂散电 感与二极管反向恢复电流的后沿 相作用而产生的。所以减小直流 母排的杂散电感及优化反向恢复 电流的后半沿的斜率都可以有效 提高二极管的安全裕量。在二极管反向恢复电流达到最大值后， 二极管的功率也达到最大值，如果此时二极管电压尖峰明显，则二极管损 坏的风险将大大增加，因此杂散电感大小对二极管意义也很大。