引起IGBT失效的原因有：

1)过热损坏集电极电流过大引起的瞬时过热及其它原因，如散热不良导致的持续过热均会使IGBT损坏。如果器件持续短路，大电流产生的功耗将引起温升，由于芯片的热容量小，其温度迅速上升，若芯片温度超过硅本征温度(约250℃)，器件将失去阻断能力，栅极控制就无法保护，从而导致IGBT失效。实际运行时，一般最高允许的工作温度为130℃左右。

2)超出关断安全工作区引起擎住效应而损坏擎住效应分静态擎住效应和动态擎住效应。 IGBT为PNPN4层结构，其等效电路如图1所示。体内存在一个寄生晶闸管，在NPN晶体管的基极与发射极之间并有一个体区扩展电阻Rs，P型体内的横向空穴电流在Rs上会产生一定的电压降，对NPN基极来说，相当于一个正向偏置电压。在规定的集电极电流范围内，这个正偏置电压不大，对NPN晶体管不起任何作用。当集电极电流增大到一定程度时，该正向电压足以使NPN晶体管开通，进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态。于是，寄生晶闸管导通，门极失去控制作用，形成自锁现象，这就是所谓的静态擎住效应。IGBT发生擎住效应后，集电极电流增大，产生过高功耗，导致器件失效。动态擎住效应主要是在器件高速关断时电流下降太快，dvCE/dt很大，引起较大位移电流，流过Rs，产生足以使NPN晶体管开通的正向偏置电压，造成寄生晶闸管自锁。

3)瞬态过电流IGBT在运行过程中所承受的大幅值过电流除短路、直通等故障外，还有续流二极管的反向恢复电流、缓冲电容器的放电电流及噪声干扰造成的尖峰电流。这种瞬态过电流虽然持续时间较短，但如果不采取措施，将增加IGBT的负担，也可能会导致IGBT失效。

4)过电压造成集电极发射极击穿。

5)过电压造成栅极发射极击穿。整流拉逆变式组合保护方案

采用了 SOI（Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅）技术，就是在顶层硅和背衬底之间引入了一层 埋氧化层。涂的这层绝缘层的好处主要是，抗干扰的能力更强，耐负压的能力更好，很多器件在 VS 的点经常跳负压，而采用的这个绝缘层对负压具有很好的耐受能力。 主要特性如下： 开关频率高达 250KHz 0.5A，8Pin 封装产品，简易驱动 IC，可驱动 30A 的 IGBT 2.3A，14Pin 封装产品，具有过电流，过电压等保护功能。可驱动 75A 的 IGBT。 具有自举，Active Shot Down，滤波延时补偿，欠压保护等功能。 滤波功能：采用内部的 RC 输入电路完成（MOSFET 滤波时间 100ns 左右，IGBT 滤波时间 200ns 左右） 自举功能：自举二极管和限流电阻放到了器件内部。自举电路中的阻抗越小越好，流过的电流就 越大。（0.5A，40 欧，2.3A，27 欧） 欠压保护：设定欠压保护值（如 12V），如果供电电压低于设定的欠压保护值，则输出信号锁死。 内置滤波欠压保护，IGBT 版本具有非对称欠压保护，增强可靠性。 过流保护：主要针对 2EDL23xx 产品，滤波后的电流超过一定时间，认为过流，锁定信号输出。 内置自举电路：相对采用 FET 做内置自举的产品，采用二极管会更好一些，且温漂小。 集成度更高：简化了外部电路，降低系统成本，同时增加了产品的稳定性和抗干扰能力。