详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 2.15 V 

在25 C的连续集电极电流: 105 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 355 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 17 mm  

长度: 107.5 mm  

宽度: 45 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只

SOx故障输出的应用

SOx故障输出端有20mA的驱动能力。与主控制器的距离越长，SOx线路对EMC越敏感，因为普通控制器输入的阻抗比较高。

如果未检测到故障状况，SOx输出为高阻抗。因此，很容易有电压尖峰被感应出来。

下图（上图）中将上拉电阻R4放置在SOx线路末端靠近控制器的一侧的方案是不推荐的。下图中显示的两种解决方案（中图和下图）可以解决这个问题：

1.将缓冲器按照下图（中图）放置在靠近驱动器SOx端子的位置。建议使用R4>1kΩ的上拉电阻上拉至VCC。如果发生故障，相应的SOx输出将被拉到GND。

建议将该电阻放置得尽可能靠近驱动器。图中100Ω电阻可保护缓冲器免受电磁干扰。下拉电阻R5可保护控制器输入免受电压尖峰影响。

2.在下图（下图）中，由10Ω电阻和肖特基二极管构成的保护网络可保护驱动器的SOx输出。

IGBT4代芯片技术-小结

1.基于沟槽栅+场终止结构，1200V和1700V。

2.1200V三种类型：小功率T4、中功率E4、大功率P4。

3.1700V两种类型：中功率E4、大功率P4。

4.P4实现软关断特性的明显提升，关断时电压尖峰小，无振荡。

5.T4和E4提高关断速度，开关频率较高时输出能力优于T3和E3。

6.配用反向恢复特性更“软”的EmCon4续流二极管。

7.饱和电压正温度系数，10μs短路承受时间不变。