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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 FS75R12KE3 75A 1200V
  • 产品名称: 英飞凌IGBT模块 FS75R12KE3 75A 1200V

  • 产品类型: 英飞凌IGBT

  • 产品型号: FS75R12KE3

  • 发布时间: 2018-09-30


产品描述

详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 1.7 V 

在25 C的连续集电极电流: 105 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 350 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C  

高度: 17 mm  

长度: 107.5 mm  

宽度: 45 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只


VEx的端特性

VEx与发射极电位相对应。它是SCALE-2 的ASIC内部生成的电位。在正常工作期间,引脚VISOx和VEx之间的电压可被稳定在+15V的额定值。

这通过SCALE-2的副边ASIC IGD的内部电流源和电压测量来实现。它的最大拉电流/灌电流能力限制在±2.5mA,以避免ASIC在工作期间过热。

如果VISOx和COMx之间的副边电压开始下降,首先VISOx和VEx的电压差仍被稳定在15V,而VEx和COMx之间的电压则继续下降,并最多可降低至5.5V。

如果VISOx至COMx的电压仍然继续降低,则VEx至COMx的电压会被稳定在5.5V,且VISOx至VEx的电压开始降低。此功能可确保驱动器即使在电源欠压的情况下也能正确关断IGBT。

在VISOx和VEx之间或VEx和COMx之间不应施加静态负载,以免干扰VISOx和VEx之间的+15V稳压。如有必要,可在VISOx和COMx之间施加静态负载(例如,用于外部电子功能的电源负载)。

下图举例说明了这种情况。

32.


驱动与保护:箝位,DVRC

.门极箝位:用肖特基二极管和电源电压将Vge限在15V,限制短路电流。

.有源米勒箝位:利用附加晶体管的导通吸收由米勒电容和dv/dt产生的门极电流,保证0V关断的可靠性。

.有源箝位:检测Vce,延缓IGBT关断,限制di/dt和电压尖峰。

.DVRC:检测dv/dt,延缓IGBT的关断,限制di/dt和电压尖峰。


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