详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 1.7 V 

在25 C的连续集电极电流: 105 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 350 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C  

高度: 17 mm  

长度: 107.5 mm  

宽度: 45 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只

VEx的端特性

VEx与发射极电位相对应。它是SCALE-2 的ASIC内部生成的电位。在正常工作期间，引脚VISOx和VEx之间的电压可被稳定在+15V的额定值。

这通过SCALE-2的副边ASIC IGD的内部电流源和电压测量来实现。它的最大拉电流/灌电流能力限制在±2.5mA，以避免ASIC在工作期间过热。

如果VISOx和COMx之间的副边电压开始下降，首先VISOx和VEx的电压差仍被稳定在15V，而VEx和COMx之间的电压则继续下降，并最多可降低至5.5V。

如果VISOx至COMx的电压仍然继续降低，则VEx至COMx的电压会被稳定在5.5V，且VISOx至VEx的电压开始降低。此功能可确保驱动器即使在电源欠压的情况下也能正确关断IGBT。

在VISOx和VEx之间或VEx和COMx之间不应施加静态负载，以免干扰VISOx和VEx之间的+15V稳压。如有必要，可在VISOx和COMx之间施加静态负载（例如，用于外部电子功能的电源负载）。

下图举例说明了这种情况。

驱动与保护：箝位，DVRC

.门极箝位：用肖特基二极管和电源电压将Vge限在15V，限制短路电流。

.有源米勒箝位：利用附加晶体管的导通吸收由米勒电容和dv/dt产生的门极电流，保证0V关断的可靠性。

.有源箝位：检测Vce，延缓IGBT关断，限制di/dt和电压尖峰。

.DVRC：检测dv/dt，延缓IGBT的关断，限制di/dt和电压尖峰。