基本参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2.45 V 

在25 C的连续集电极电流: 605 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 2250 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

封装: Tray 

高度: 17 mm  

长度: 162 mm  

宽度: 150 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 4只

IGBT驱动的几个基本问题

门极电压 - 开通电压：对饱和电压和短路电流的影响 - 关断电压：对关断和损耗的影响 „ 门极电阻 - 对开关能耗和开关特性的影响 - 选择和配置的注意事项 „ 

驱动与保护 - 线路设计的几个原则 - 门极箝位，有源米勒箝位（Active Miller Clamping） - 有源箝位（Active Clamping） ，动态电压上升控制（DVRC） - 短路保护：Vce检测，软关断，两电平关断 „ 

对目前驱动器产品的评价（仅供参考）

随着电力电子器件制造技术的发展，高性能、大容量的绝缘栅双极晶体管(IGBT)因其具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低及工作频率高等特点，而越来越多地应用到工作频率为几十kHz以下，输出功率从几kW到几百kW的各类电力变换装置中。IGBT逆变器中最重要的环节就是高性能的过流保护电路的设计。专用驱动模块都带有过流保护功能。一些分立的驱动电路也带有过电流保护功能。在工业应用中，一般都是利用这些瞬时过电流保护信号，通过触发器时序逻辑电路的记忆功能，构成记忆锁定保护电路，以避免保护电路在过流时的频繁动作，实现可取的过流保护。本文分析了大功率可控整流电压型逆变器中封锁驱动及整流拉逆变式双重保护电路结构。