基本参数

制造商:                           Infineon 

产品种类:                         IGBT 模块 

配置:                            Hex 

集电极发射极最大电压 VCEO:              1200 V 

集电极射极饱和电压:                   2.15 V 

在25 C的连续集电极电流:                 600 A 

栅极—射极漏泄电流:                    400 nA 

Pd-功率耗散:                         2.1 kW 

最小工作温度:                         - 40 C 

最大工作温度:                         + 125 C 

封装:                              Tray 

高度:                              17 mm  

长度:                              162 mm  

宽度:                              150 mm  

安装风格:                           Screw Mount  

栅极发射极最大电压:                    +/- 20 V  

工厂包装数量:                        4 只 

有源米勒钳位当下桥臂开通的时候，A 点会被拉到地，在很短的时间内，上桥臂器件上会产生一个很大的 dV/dt. 上桥臂器件本身通过米勒电容 Cgc 会产生一个 Vgc 电流，导致基极电压升高，当 Vgate 电压高到 一定值时，上桥臂会再次导通，这样就会出现一个穿透，导致短路。很常见的做法是关断的时候 用负压，一般采用-15V，就算 Vg 电压高到几伏都不会有影响。所以很多驱动 IC 都需要双电源供 电。在设计的时候同时需要设置好死区时间。 而针对英飞凌这款单电源供电产品是怎么处理的呢？就采用了有源钳位，在器件内部会检测外部 的电压，一旦高于 2V，就会通过一个逻辑把下面专用的一个钳位 MOSFET（B）开通，这颗 MOSFET 的能力和其他正常关断的 MOSFET 能力一样，因为 MOSFET 的面积和器件本身空间的限制，所以 具有油源钳位功能的驱动器件目前最大驱动电流只能做到 3A。当上下桥臂导通的时候，门极电压也会慢慢抬高，而当门极电压变 得越来越高的时候，流过功率器件的电流将会越来越大，功率器件将会升温更加厉害，最后导致 炸管。 所以在实际应用中就需要把门极电压拉住。最传统的做法是通过一个二极管 Dc1 接到供电电压， 钳位到供电电压。而英飞凌的产品则是把二极管实现的功能集成到驱动器件内部了。这样的目的 是集成度更高，降低了客户设计难度，同时保证了更高的可靠性。