详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2.45 V 

在25 C的连续集电极电流: 375 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 1650 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

封装: Tray 

高度: 17 mm  

长度: 162 mm  

宽度: 150 mm   

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 4只

IGBT 的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs 之间的 关系曲线。它与 MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电 压 Ugs(th) 时， IGBT 处于关断状 态。在 IGBT 导通后的大部分漏极电 流范围内， Id 与 Ugs 呈线性关系。最高栅源电 压受最大漏极电流限 制，其最佳值一般取为 15V 左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。 IGBT 处于导通态时，由于 它的 PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其 B 值 极低。尽管等效电路为达林顿结构，但 流过 MOSFET 的电流成为 IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压 Uds(on) 可用下 式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh （ 2 － 14 ） 式中 Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为 0.7 ～ IV ； Udr ——扩展电阻 Rdr 上的压降； Roh ——沟道电阻。 通态电流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2 － 15 ） 式中 Imos ——流过 MOSFET 的电流。

由于 N+ 区存在电导调制效应，所以 IGBT 的通态压降小，耐压 1000V 的 IGBT 通态压降为 2 ～ 3V 。