详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2 V 

在25 C的连续集电极电流: 340 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 1.4 kW 

封装箱体: EconoPACK+ 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 17 mm  

长度: 162 mm  

宽度: 150 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 4只

IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。 2 ．动态特性 IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为 MOSFET 来运行的，只是在 漏源电压 Uds 下降过程后期， PNP 晶体 管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。 td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间 ton 即为 td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由 tfe1 和 tfe2 组成，如下图所示

IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ，所以具有高输 入阻抗特性。 当 MOSFET 的沟道形成后，从 P+ 基极注入到 N 一层的空穴（少子），对 N 一 层进行电导调制，减小 N 一层的电阻，使 IGBT 在高电压 时，也具有低的通态电压。 IGBT 的工作特性包括静态和动态两类： 1．静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和 开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压 Ugs 为参变量时，漏极电流与 栅极电压之间的关 系曲线。输出漏极电流比受栅源电压 Ugs 的控 制， Ugs 越高， Id 越大。它与 GTR 的 输出特性相似．也可分为饱和 区 1 、放大区 2 和击穿特性 3 部分。在截止状态下的 IGBT ，正向电 压由 J2 结承担，反向电压由 J1 结承担。如果无 N+ 缓冲区，则正 反 向阻断电压可以做到同样水平，加入 N+ 缓冲区后，反向关断电压只 能达到几十 伏水平，因此限制了 IGBT 的某些应用范围。