详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

在25 C的连续集电极电流: 140 A 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

封装: Tray 

高度: 17 mm  

长度: 122 mm  

宽度: 62 mm   

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只

提升输入信号INA和INB的抗噪声性能

典型情况下，当INA/INB升高到大约2.6V的阈值电压时，所有SCALE-2驱动核将会开启相应的通道。

而关断阈值电压大约为1.3V。因此，回差为1.3V。在有些噪声干扰很严重的应用中，升高输入阈值电压有助于避免错误的开关行为。

为此，按照下图在尽可能靠近驱动核的位置放置分压电阻R2和R3。确保分压电阻R2和R3与驱动器之间的距离尽可能小对于避免在PCB上引起干扰至关重要。

举例：在开通瞬间，假设R2=3.3kΩ，R3=1kΩ，INA=+15V。在没有R2和R3的情况下，INA达到2.6V后驱动器立即导通。

分压网络可将开通阈值电压升高至大约11.2V，关断阈值电压则提升至大约5.6V。在此例中，INA和INB信号的驱动器在IGBT导通状态下必须持续提供3.5mA的电流。

IGBT 4代模块概念：在开关工作条件下，IGBT4模块的最高允许结温规格为 150°C，比IGBT3/IGBT2模块（1200V和1700V）的规格提高了25°C！

出发点：适应芯片小型化（RthjcÇ，∆Tjc[=PLoss×Rthjc]Ç）

实现：IGBT4模块内部焊线工艺的改进

可靠性因素：焊线工艺决定了模块的可靠性指标之一-功率循环（PC）次数。PC次数与结温有关，在相同的结温摆幅下，结温越高，PC次数越低。

要提高结温规格，必须改进焊线工艺，才能保证模块用于更高的结温时，其PC次数（使用寿命）不减。

结果：

1.IGBT4模块的可靠性（PC次数）大幅增加

2.IGBT4模块的电流输出能力增大（应用功率）

3.以较小的封装尺寸实现相同的电流规格（功率密度）