基本参数

制造商: Infineon 

产品种类: IGBT 模块 

产品: IGBT Silicon Modules 

配置: Dual 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 2.7 V 

在25 C的连续集电极电流: 800 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 5 kW  

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 38 mm  

长度: 140 mm  

宽度: 130 mm  

安装风格: Screw Mount  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

工厂包装数量: 2只

短路保护和过流保护的意义及其区别

通常我们说的短路保护和过流保护是不一样的，是两个很不一样的概念， 不应该混为一谈。 短路分为一类及二类两种，但这两种短路都有一个共同点，那就是，IGBT 会出现 “退饱和现象 ”，当IGBT一旦退出饱和区，它的损耗会成百倍的往上 升，那么允许持续这种状态的时会非常苛刻了，只有10us，我们需要靠驱 动器发现这一行为并关掉门极。 IGBT过流的情况则是，回路电感较大，电流爬升很慢（相对于短路）， IGBT不会发生退饱和现象，但是由于电流比正常工况要高很多，因此经过 若干个开关周期后，IGBT的损耗也会比较高，结温也会迅速上升，从而导 致失效。在这时，IGBT 驱动 般是不能 时发 这 象的 动器一般是不能 及时发 现 这一现象的，因 为 IGBT的饱和压降的变化很微弱，驱动器通常识别不到这种变化。所以需要 靠电流传感器来感知电流的数值，对系统进行保护。 所以，我们认为，IGBT驱动器是为了解决短路保护，而过流保护则是由 电流传感器来完成。