详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 1.7 V 

在25 C的连续集电极电流: 1200 A 

栅极—射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 3.9 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

封装: Tray 

高度: 38 mm  

长度: 140 mm  

宽度: 130 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 2只

功率半导体器件是电能转换的关键器件 ,而 IGB T 又是功 率器件中目前发展最快且很有发展前途的一种混合器件 ,由于 其具有开关速度快、驱动功率小、电流容量大、电压等级高且价 格低等优点 ,使其应用范围越来越广泛 ,特别在开关电源、逆变 焊机、U PS、变频调速器等领域中更是大量应用。 在功率较大的电力电子设备中 ,主电路的形式一般均采用 桥式电路 ,而在桥式电路中 ,功率器件 IGB T 的驱动及吸收电 路对其能否正常可靠使用起着至关重要的作用。驱动及吸收电路的参数设计合理 ,可以大大延长 IGB T 的使用寿命 ,提高 设备的可靠性。否则 ,将会使 IGB T 经常失效 ,甚至无法工作。

IGBT 在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为 MOSFET 关断后， PNP 晶体 管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间， td(off) 为关断延迟时间， trv 为电压 Uds(f) 的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间 Tf 由下图中的 t(f1) 和 t(f2) 两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv 十 t(f) （ 2 － 16 ） 式中， td(off) 与 trv 之和又称为存储时间。