详细参数

制造商: Infineon 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 2.7 V 

在25 C的连续集电极电流: 600 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 3.9 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

高度: 38 mm  

长度: 140 mm  

宽度: 130 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V   

工厂包装数量: 2只

IGBT的短路安全工作区(SCSOA)

在IGBT的datasheet datasheet中，(以英飞凌的FF450R12ME4) FF450R12ME4)为例，IGBT的短路性能是 有所定义的，我们可以认为这是“短路安全工作区”。见下图。

定义这个数值时使用的是 定义这个数值时使用的是 类短路 一 ，其意义是：在母线电压为800V，门极电 压小于等于15V，结温为150度的情况下，施加一个宽度为10us的脉冲，在第 10us时，IGBT的电流大约为1800A。并且说明，这样的测试是安全，是可以 重复的。 实际上定义这个测试背后的约束条件是在短路时IGBT芯片上的能量，在IGBT 短路时，IGBT会退出饱和区，所以其Vce=800V，电流基本稳定在1800A，在 10us内，能量为：E=U•I•t=800V•1800A•10us=14.4J。也就是说，短路时， IGBT能扛住14.4焦耳的能量。