详细参数

制造商: 英飞凌

产品种类: IGBT 模块  

集电极发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV 

集电极射极饱和电压: 2.15 V 

在25 C的连续集电极电流: 580 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 2 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 30.9 mm  

长度: 106.4 mm  

宽度: 61.4 mm  

栅极发射极最大电压: 20 V   

包装数量: 10只

轨到轨输出和门极-发射极电压箝位

CONCEPT SCALE-2驱动器使用N沟道输出级，下中所示。在功率半导体门极输入充电完成后，N沟道MOSFET上的电压降几乎为零。

因此，SCALE-2驱动器具有轨到轨的输出功能。轨到轨输出在驱动功率半导体时有多种优势。第一个优势是VISOx电压可以被稳定在+15V。

使用肖特基二极管（下图中的D5），门极电压可被箝位在稳定的+15V。这样可避免门极电压升高，从而降低IGBT短路电流Isc和能量，因为前者高度依赖于门极-发射极电压Vge。

此处所述的门极箝位比使用瞬态抑制二极管的门极箝位更高效。后者在IGBT短路时不能将门极电压限制在15V，因为考虑到元件的误差和温度特性，以避免TVS产生静态导通并由此使Vge=15V过载，所以箝位电压的设置需要留出裕量。

第二个优势是在驱动器关断时防止功率半导体的寄生导通现象。在那种情况下，功率半导体上的门极-发射极电压为零，如果集电极-发射极电压Vce按给定的dVce/dt升高，则电流Ig会通过密勒电容CMiller流进门极回路。

在下图中使用D5后，电流Ig将会向支撑电容C12和C22充电。C12和C22上的电压通常在低位。因此，功率半导体无法发生寄生导通。此功能也可用于STO（安全转矩工作）。

请注意，此处所述的门极-发射极箝位在2SC0108T驱动器上无法实现，因为VISOx无法从外部获得。此时应使用TVS进行门极-发射极箝位。

测量程序

未接入DUT时，将电容表设定为规定的频率。分别设定温度、栅极－发射极电压VGE和集电极－发射极电压VCE为规定值。电容Cies能在电容表上读出。

规定条件：

.环境温度Ta、管壳温度Tc或结温Tj；

.集电极－发射极电压VCE；

.栅极－发射极电压VGE；

.测量频率f