详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块  

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 3.75 V 

在25 C的连续集电极电流: 370 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 1950 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 30.9 mm  

长度: 106.4 mm  

宽度: 61.4 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只

对支撑电容C1x和C2x的要求

SCALE-2驱动器在DC/DC电源的副边侧配有支撑电容。

这些支撑电容允许功率半导体（特征为门极电荷）的门极电容通过N沟道MOSFET的推动级快速充电和放电。

对于IGBT或MOSFET，建议对于每1µC的门极电荷，对应着至少3µF的支撑电容。SCALE-2驱动核上缺少的支撑电容必须从外部添加。

支撑电容必须放置在VISOx和VEx之间（下图中的C1x）以及VEx和COMx之间（下图中的C2x）。它们必须连接在尽可能靠近驱动器端子引脚的位置以使电感最小。

建议对C1x和C2x使用相同的电容值（IGBT模式）。建议使用耐压>20V的陶瓷电容。请注意，在上电过程中，由于SCALE-2驱动器的软启动功能，电容的充电电流会被限制住。

如果所需的电容C1x或C2x的值超过相应的说明或应用手册中指定的最大值，请联系CONCEPT的技术支持部门。

请注意，建议不要使用电解电容，例如钽电解电容。

驱动与保护：短路保护

Vce检测：

.适用于直通短路等“硬”短路（低寄生电感回路）的保护

.不适合用于过流保护

.注意De-sat二极管的选择

.消隐电容的选择受电流源误差影响

„软关断：在检测到短路后，驱动器输出较高阻抗，等效于很大的门极电阻值，限制di/dt和电压尖峰。

两电平关断：在检测到短路后，驱动器迫使门极电压下降到第二电平（如9V-11V），以降低短路电流，延长IGBT的短路允许承受时间。