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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 FF200R12KE3 200A 1200V
  • 产品名称: 英飞凌IGBT模块 FF200R12KE3 200A 1200V

  • 产品类型: 英飞凌IGBT

  • 产品型号: FF200R12KE3

  • 发布时间: 2018-09-28


产品描述

详细参数说明

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 1.7 V 

在25 C的连续集电极电流: 200 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 1.05 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 30.9 mm  

长度: 106.4 mm  

宽度: 61.4 mm   

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只


光纤与SCALE-2驱动核的接口电路

光纤与SCALE-2驱动核接口可以使用以下的电路 驱动核接口可以使用以下的电路,但实际上光纤收发器的 但实际上光纤收发器的

电源为+5V,处理手法可以用稳压芯片,也可以用稳压管;反馈光纤可以通过将SO1,SO2短接后汇成一个信号。


光纤接口与驱动器直接并联的应用的配合

光电转换后将信号接入施密特触发器进行反相,然后再连进两个并联的驱动核,且连线要尽量短,这样才能保证驱动器直接并联的同步性。


在三电平变换器的工作过程中,正确的半导体换流行为可确保在外管IGBT/MOSFET处于导通状态时内管IGBT/MOSFET不会关断,以免整个直流母线电压施加在相应的功率半导体上。

使用CONCEPT的 SCALE-2门极驱动器时必须考虑这种情况。如果驱动器检测到短路或电源欠压,则可能会发生此类事件。

检测到故障后,驱动器会立即关闭相应的通道。

功率半导体通常不能承受整个母线电压。

只有采取充分的防护措施,才能防止功率半导体损坏。

SCALE-2的高级有源箝位功能可防止IGBT/MOSFET在这种情况下出现集电极过压。

因此,在这样的故障条件下就无需为待关断的驱动器通道提供特定的关断顺序 - 这种情况下可在故障反馈后的3µs内的任何时刻直接施加关断指令。

建议在故障反馈后向变换器内的所有IGBT驱动器施加同时的关断指令,以达到稳定的系统状态。


单个SCALE-2驱动器在并联IGBT/MOSFET中的应用 

使用单个驱动核驱动并联的IGBT应用中的高级有源箝位

有源箝位技术的功能是,在集电极-发射极(漏极-源极)电压超过预定义的阈值时,立即将功率半导体部分地打开。

然后,使功率半导体保持在线性区内工作。

基本有源箝位电路是将IGBT的集电极电位通过瞬态电压抑制二极管(TVS)反馈到IGBT门极的单反馈电路。

大部分SCALE-2产品都支持CONCEPT的高级有源箝位,这项功能是将集电极的反馈信号送进驱动器副边的引脚ACLx:

只要下图中20Ω电阻右侧的电压超过大约1.3V(参考COMx),驱动器推动级的关断MOSFET就会逐步关断,以提高有源箝位的效率,降低TVS中的损耗。

当20Ω电阻右侧的电压达到20V(参考COMx)时,关断MOSFET会完全关断。

在使用单个驱动核的并联IGBT运行中,高级有源箝位需要控制所有并联IGBT/MOSFET。

每个门极都需要按照下图获得独立反馈。


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