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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 FF150R12KS4 150A 1200V
  • 产品名称: 英飞凌IGBT模块 FF150R12KS4 150A 1200V

  • 产品类型: 英飞凌IGBT

  • 产品型号: FF150R12KS4

  • 发布时间: 2018-09-29


产品描述

详细参数

制造商: 英飞凌

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 3.2 V 

在25 C的连续集电极电流: 225 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 1.25 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 30.5 mm  

长度: 106.4 mm  

宽度: 61.4 mm   

栅极发射极最大电压: +/- 20 V   

包装数量: 10只


使用电阻的退饱和保护

集电极检测回路必须按照图8和9中显示的电路连接到IGBT集电极或MOSFET漏极,以检测IGBT或MOSFET过流或短路。

在IGBT关断状态下,驱动器的内部MOSFET将引脚VCEx连接到引脚COMx。然后,电容Cax被预充电/放电至负电

源电压,该电容电压(下图中的红圈)相对于VEx大约为-10V。在这段时间内,电流通过电阻网络和二极管

BAS416从集电极(下图中的蓝圈)流向VISOx。此电流受电阻串限制。

建议设置Rvcex的电阻值,以使Rvcex流过大约为IRvcex=0.6-1mA的电流(例如,VDC-LINK电压为1200V时,设置为1.2-1.8MΩ)。

可以使用高压电阻以及多电阻串联。在任何情况下,都应考虑与应用相关的最小爬电距离。

参考电压通过电阻Rthx设置。它通过参考电流(典型值为150uA)和参考电阻Rthx(下中的绿圈)计算得出 。

CONCEPT建议使用Rthx=68kΩ来检测短路。较低的电阻值可使系统更加灵敏,然而在IGBT发生退饱和(短路)时却不会带来任何优势。

在IGBT打开且处于导通状态下时,上述MOSFET关闭。随着VCE降低(下中的蓝色曲线),Cax电势从COMx被充电至IGBT饱和电压(下中的红色曲线所示)。

Cax充电所需的时间取决于直流母线电压、电阻值Rax和电容值Cax。对于1200V和1700V IGBT,建议设置Rax=120kΩ。

对于600V IGBT,建议值为Rax=62kΩ。相应的短路响应时间在对应的应用手册中已被给出,该响应时间所对应的短路情形所指的最低母线电压大约为25V*Rvcex/Rax。

请注意,短路响应时间将会随着直流母线电压的降低而增大,而IGBT在短路情况下耗散的能量则通常保持在相同水平甚至更低。


26.

IGBT的续流二极管的反向恢复效应被人们所熟知,而这种而这种二极管其实也存在正向恢复效应。

正向恢复效应发生的时刻:正向恢复发生在二极管开通的时刻,在下管IGBT关断的瞬间,IGBT的电流就要转移到上管的续流二极管,在这一瞬间,上管的二极管发生正向恢复过程。


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