详细参数

制造商: Infineon 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2.2 V 

在25 C的连续集电极电流: 1400 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 9.55 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

栅极发射极最大电压: +/- 20 V   

工厂包装数量: 2只

IGBT的退饱和行为的介绍

IGBT的外特性的形状实际上和三极管及MOSFET的外特性是相似的，在 IGBT的线性区，门极电压与短路电流的关系是线性的。 IGBT退饱和行为，其字面的意思是“退出了饱和区”，实际就是“进入线 性区”的另外一种说法。 IGBT的电流如果持续增大，当到达某一个点（退饱和点）时，IGBT的 Vce会发生显著变化，会在非常短的时间内（例如几百纳秒内）上升至 直流母线电压。退饱和行为的标志就是Vcesat上升至直流母线电压。 Vcesat在饱和区内的变化是非常微弱的，如果想利用饱和压降的变化来 辨识IGBT的电流是很困难的，通常我们只辨识IGBT的退饱和行为。