详细参数

制造商: Infineon 

产品种类: IGBT 模块 

配置: Dual 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 2.05 V 

在25 C的连续集电极电流: 1400 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 7.65 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

封装: Tray 

高度: 38 mm  

长度: 250 mm  

宽度: 89 mm    

栅极发射极最大电压: 20 V  

工厂包装数量: 2只

IGBT的外特性

从IGBT 的外特性图中可以读出的信息

图中左下角的图是 图中左下角的图是IGBT的d h atas eet中给出的外特性曲线 中给出的外特性曲线，通常这个图只给出 通常这个图只给出 额定电流的2倍的曲线，电流再大的部分属于定性不定量的示意图。当电流 等于450A，即1倍额定电流时，Vcesat=2.5V；在2倍额定电流时， V t 3 9V Vcesat=3.9V；在3倍额定电流时，V t 5 6V Vcesat=5~6V；当电流达到4倍额定电流时 ，IGBT会承受住外部电压的所有值。 这张图可以看出： 1. IGBT在某个固定的门极电压下，其电流达到一定高度就上不去了。这说 明，IGBT在短路时，电流会被限制在一个稳定的水平，其数值大约为 IGBT额定电流的4倍，（该数值与IGBT的芯片类型有关系 的芯片类型有关系）。 2. 门极电压可以强烈地影响IGBT短路电流的数值，门极电压较低时，短路 电流会比较低，门极电压升高，短路电流也会升高。 3. IGBT的 在 电流 1倍至3倍 间变化 之 ，Vcesat的变化是非常微弱的 的变化是非常微弱的，只有几V 的差别。 4. IGBT在退饱和后，Vcesat会有显著变化。 5. IGBT在短路时，实际上进入了线性区。