详细参数

制造商: Infineon 

产品种类: IGBT 模块 

配置: Dual 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2.45 V 

25 C的连续集电极电流: 1390 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 6.25 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

高度: 38 mm  

长度: 250 mm  

宽度: 89 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

工厂包装数量: 2只

一类短路

发生 类短路时 发生一类短路时，IGBT的电流会快速上升，当电流上升到一定数值 时，（一般为4倍额定电流）， IGBT会发生退饱和现象其标志，其标志 是IGBT的电压会迅速上升至直流 母线电压。 当IGBT退出饱和区后，IGBT的电 流为4倍额定电流（此倍数与芯片 类型有关），电压为母线电压，（ 外电路的所有电动势都压在IGBT 上），IGBT芯片的损耗非常大， 根据规格书，其最多能耐受10us的 短路状态。驱动器需要在此时间内 Vce(sat) 检测电路监控 短路状态。驱动器需要在此时间内 把IGBT关掉，此时的关断是完全安全的

二类短路

发生二类短路时 由于回路的电感量稍大，电流爬升的速度慢了一些 ，(比一类短路慢，但实际还是很 快的)，门极脉冲打开时，IGBT的 Vce下降至饱和压降，随着电流进 一步加大，饱和压降轻微上升；当 电流到达“退饱和点”时，Vce迅速 上升至直流母线电压，我们把Vce 上升的过程称为“退饱和”行为。当 IGBT退出饱和区后，其损耗要比 未退饱和前高数百倍，因为Vce从 几伏上升至几百伏，而电流则没有 明显变化。从退饱和算起，10us内 须关断 Vce(sat) 检测电路监控 ，必 IGBT。 另外，还需要注意的是，当IGBT电流上升的过程中，Vge也在上升，这是一 种米勒效应，IGBT在短路时，门极电压有被向上抬升的趋势 门极电压有被向上抬升的趋势。