详细参数

制造商: 英飞凌

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 330 V 

集电极射极饱和电压: 3.4 V 

在25 C的连续集电极电流: 400 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 4.8 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 38 mm  

长度: 140 mm  

宽度: 130 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 2只

驱动器的经典短路保护电路常见的理解误区

经典保护电路有一个常见的理解误区： 1. 将驱动器的门槛电压调得很低 将驱动器的门槛电压调得很低，根据IGBT的外特性，将门槛设在4V ，从而认为当电流超过某个值时，Vcesat发生变化，导致驱动器翻转。 这样实现过流保护 这样实现过流保护。这种办法的意图是想利用二极管 这种办法的意图是想利用二极管 “检测 ”IGBT的饱和 压降，当其超过某个值时将IGBT关断。实际上这种做法很容易导致驱动 器误保护。IGBT驱动器的主要目的是抓住 驱动器的主要目的是抓住IGBT的退饱和现象，从而进 行保护，它不能准确检测到IGBT的饱和压降。