基本参数

制造商:                              Infineon 

产品种类:                             IGBT 模块 

产品:                                IGBT Silicon Modules 

配置:                                Quad 

集电极发射极最大电压 VCEO:                  1200 V 

在25C的连续集电极电流    :                 570 A 

封装箱体:                             IHM130 

最小工作温度:                          - 40 C 

最大工作温度:                           + 125 C 

高度:                                38 mm  

长度:                                140 mm  

宽度:                                130 mm  

商标:                                Infineon Technologies  

安装风格:                              SMD/SMT  

栅极/发射极最大电压:                       +/- 20 V  

产品类型:                              IGBT Modules  

包装数量:                              2只  

主动关闭（Active shut down）实际应用的时候在功率器件的门极通过一个电阻接地下拉。此电阻一般选值 10K~20K，其作用是： 防止在驱动本身失电的情况下门极会上跳，会导致功率器件误导通。这个电阻值一定要用，所以 我们就集成到驱动 IC 的内部。此功能的电流吸收能力（见图标），相对于传统的方案，会更加优 化。 （/MF 后缀的芯片，采用单脚实现了两种功能，一种是有源米勒钳位，还有一种是短路电流钳位 功能。）