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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT > 英飞凌IGBT模块 BSM300GB120DLC 300A 1200V
  • 产品名称: 英飞凌IGBT模块 BSM300GB120DLC 300A 1200V

  • 产品类型: 英飞凌IGBT

  • 产品型号: BSM300GB120DLC

  • 发布时间: 2018-09-29


产品描述

详细参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 2.1 V 

在25 C的连续集电极电流: 625 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 2500 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 30.5 mm  

长度: 106.4 mm  

宽度: 61.4 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只


使用二极管检测的退饱和保护

SCALE-2技术还可利用高压二极管实现退饱和保护,如下图所示。但是,与使用电阻相比,使用高压二极管有一些劣势:

1与集电极-发射极电压的变化率dvce/dt相关的共模电流:高压二极管的结电容Cj很大。这些电容与dvce/dt共同作用产生了流进和流出测量电路的共模电流Icom。

2市场价格:高压二极管比标准0805/150V或1206/200V SMD电阻器价格更贵。

3可获得性:从市场上采购标准厚膜电阻相对更方便一些。

4稳定性有限:在较低的VCE水平下反应时间不会增大。然而,在较高IGBT温度、较高集电极电流、谐振开关操作或相移PWM的情况下可能会发生保护动作被错误触发,特别是参考电压Vthx设置为大约10V以下的值时。

参考电压的上限被限制为大约10V,这可能会造成IGBT利用率有限:集电极电流可能会被限制在两倍额定电流以内的值,或者短路耐受能力将会降低。


在IGBT关断状态期间,D4(和Rax)将VCEx引脚设置为COMx电位,从而将电容Cax预充电/放电到负电源电压,该电压相对于VEx大约为-10V。

在IGBT导通时,电容Cax通过Rax充电。当IGBT集电极电位降低到某一水平时,Cax的电压被高压二极管D1和D2限制住。

27.

正向恢复效应与器件的关系

在这里我们不讨论产生二极管正向恢复现象的原因,不过可以这样认为,这是半导体器件的固有的属性。

绝大多数情况下,正向恢复效应不会产生什么问题,所以通常很少被讨论。关于这个效应,有几个特点需要注意:

1. 二极管温度越高时,正向恢复效应越强烈,幅值及时间都会较长。

2. 电压越高,电流越大的器件,正向恢复效应越强。

3. 不同品牌的器件 不同品牌的器件,即使是同 电压或电流等级 一电压或电流等级,正向恢复效应程度也许会有所不同。


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