详细参数说明

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块  

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 2.1 V 

在25 C的连续集电极电流: 420 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 1550 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C  

高度: 30.5 mm  

长度: 106.4 mm  

宽度: 61.4 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只

MOSFET模式（不可用于2SC0108T）

在IGBT模式下，正开通门极电压可稳定在+15V，负关断门极电压为负值，对于SCALE-2驱动核通常为大约-10V。借助MOSFET模式，可将关断门极电压设置为0V。

建议按照下面的方法操作以在SCALE-2驱动核上激活MOSFET模式：

1.将副边端子COMx和VEx连接在一起。这必须在驱动器电源关断的情况下执行，否则可能会损坏次级ASICIGD。

如有必要，可使用下图中的支撑电容C21。支撑电容C22不再需要，因为它们已经被短路。

2.选择开通时所需的门极-发射极电压。原方电源电压VCC仍需要为+15V。改变原方的VDC使副方VISOx到COMx的电压调节到10V到20V之间。这对应于门极的导通电压。

VDC至VISOx-COMx的传输比的典型值为1.67。副方的欠压保护点从IGBT模式下的12.6V变为MOSFET模式下的8.75V（典型值）。VDC电压在

MOSFET模式下低于大约5.2V会产生欠压故障。例如，VDC=6V通常可产生10V的正门极导通电压。但是请注意，此值取决于驱动器输出功率和温度。

3.VCE检测的参考电压Vth（需要使用Rth设定）必须设置为不低于4V的值（参考COMx）。

请注意，MOSFET模式设计主要用于实现超快速MOSFET开关。因此，开关延迟需要降到最小，这样就需要单电源驱动电压。

MOSFET的门极-发射极开通阈值电压较低。因此，MOSFET模式的使用不是总被推荐的，而需要视应用而定。

IGBT模式也可以用于驱动MOSFET，因为关断状态下的负的门极-发射极电压可以避免寄生导通。

从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。

(相对而言，手机、电脑电路板上跑的电电压低，以传输信号为主，都属于弱电。)

可以认为就是一个晶体管，电压电流超大而已。