基本参数

制造商: 英飞凌

产品种类: IGBT 模块  

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2.6 V 

在25 C的连续集电极电流: 300 A 

栅极射极漏泄电流: 200 nA 

功率耗散: 1.25 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 30.5 mm  

长度: 106.4 mm  

宽度: 61.4 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只

门极电压：关断电压-Vge或0V

用-Vge（-5V…-15V)使IGBT 关断更可靠，有利于防止误 开通。 „ 

用0V关断，可考虑采用有源 米勒箝位使关断更可靠（见 后页“驱动与保护”）。 „ 

用0V…+15V开关时，门极电 荷较小(以600V IGBT3为例， Qg为-15V…+15V时的40%）， 门极驱动电流较小。 „ 

用0V关断时，toff和Eoff较 大（以600V IGBT3为例： toff为-15V时的2-3倍，Eoff 比-15V时增加约10%）。 

注意：Vge规格-最大允许值 ±20V

门极电阻 „ 

Rg对开通影响大，表现在以下几个方面： - 开通能耗（Eon） - IGBT的电流尖峰（续流二极管的反向恢复电流） - dv/dt „

Rg对关断影响不明显，表现在以下几个方面： - 关断能耗（Eoff） - di/dt（主要由芯片技术决定，Rg很大时才有影响） - dv/dt „ 

Rg对开通和关断延时都有影响

Rg下限：规格书中的测试条件 „ 

Rg上限：IGBT损耗/发热，死区时间 „ 

功率计算（假设驱动功耗都消耗在 Rg上）： Pg = ∆Vge × Qg × fsw × 2 其中：∆Vge = Vcc - Vss Qg = ∆Vge/30 × QG QG：见规格书（-15V…+15V） fsw：开关频率 „ 

IGBT并联时，建议每个IGBT一个Rg （共用一个驱动器），以减小IGBT 内置门极电阻值误差对开关一致性 的影响。