基本参数

制造商: 英飞凌 

产品种类: IGBT 模块  

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2.6 V 

在25 C的连续集电极电流: 200 A 

栅极射极漏泄电流: 200 nA 

功率耗散: 960 W 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 125 C 

高度: 30.5 mm  

长度: 106.4 mm  

宽度: 61.4 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只

IGBT保护方法

　　当过流情况出现时，IGBT必须维持在短路安全工作区(SCSOA)内。IGBT承受短路的时间与电源电压、栅极驱动电压以及结温有密切关系。为了防止由于短路故障造成IGBT损坏，必须有完善的故障检测与保护环节。一般的检测方法分为电流传感器和IGBT欠饱和式保护。

　　1)封锁驱动信号

　　在逆变电源的负载过大或输出短路的情况下，通过逆变桥输入直流母线上的电流传感器进行检测。当检测电流值超过设定的阈值时，保护动作封锁所有桥臂的驱动信号。这种保护方法最直接，但吸收电路和箝位电路必须经特别设计，使其适用于短路情况。这种方法的缺点是会造成IGBT关断时承受应力过大，特别是在关断感性超大电流时，必须注意擎住效应。

　　2)减小栅压

　　IGBT的短路电流和栅压有密切关系，栅压越高，短路时电流就越大。在短路或瞬态过流情况下若能在瞬间将vGS分步减少或斜坡减少，这样短路电流便会减小下来，当IGBT关断时，di/dt也减小。集成驱动电路如EXB841 或M579xx系列都有检测vCES电路，当发现欠饱和时，栅压箝位到10V左右，增大vCES，限制过电流幅值，延长允许过流时间。

　　整流拉逆变式组合保护方案

　　1、逆变部分保护

　　本设计逆变器为半桥式结构，串联谐振负载，驱动采用IR公司的IR2110 半桥驱动芯片。IR2110电路简单，成本低，适用于中大功率IGBT，实验结果也验证了IR2110驱动中大功率IGBT的可行性。IR2110芯片有一个封锁两路驱动的SD输入端，当此引脚为高电平时，立刻封锁两路输出。