如何选择IGBT的门极驱动电阻？

如何选择IGBT的门极驱动电阻？

IGBT的开关特性是通过对门极电容进行充放电来控制的，实际应用中经常使用＋15V的正电压对IGBT进行开通，再由-5V…-8V…-15V的负电压进行关断。门极电容的充放电速度可以通过控制门极电阻来实现，所以我们可以通过门极电阻来调整IGBT开关的动态特性，如图1所示。

图1  IGBT门极控制示意图

       门极电阻可以影响IGBT的开关时间、开关损耗、反偏安全工作区（RBSOA）、短路安全工作区（SCSOA）、EMI、dv/dt、di/dt和续流二极管的反向恢复电流等。所以需要根据不同的应用条件谨慎地选择最优门极电阻，比如不同的IGBT芯片特性、二极管特性、开关频率、损耗要求、系统杂散电感、直流母线电压和驱动能力等，一个完整的IGBT门极电阻选型需要综合考虑以上各种因素。（英飞凌igbt厂家）