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如何选择IGBT的门极驱动电阻?

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深圳逸盛通科技有限公司

时间 : 2018-09-19 20:45 浏览量 : 33

如何选择IGBT的门极驱动电阻?

IGBT的开关特性是通过对门极电容进行充放电来控制的,实际应用中经常使用+15V的正电压对IGBT进行开通,再由-5V…-8V…-15V的负电压进行关断。门极电容的充放电速度可以通过控制门极电阻来实现,所以我们可以通过门极电阻来调整IGBT开关的动态特性,如图1所示。

igbt门极控制示意图

图1  IGBT门极控制示意图

       门极电阻可以影响IGBT的开关时间、开关损耗、反偏安全工作区(RBSOA)、短路安全工作区(SCSOA)、EMI、dv/dt、di/dt和续流二极管的反向恢复电流等。所以需要根据不同的应用条件谨慎地选择最优门极电阻,比如不同的IGBT芯片特性、二极管特性、开关频率、损耗要求、系统杂散电感、直流母线电压和驱动能力等,一个完整的IGBT门极电阻选型需要综合考虑以上各种因素。(英飞凌igbt厂家


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