目前IGBT驱动的主要方式

保护主要采用检测饱和压降和检测发射极电流的方法。在电机驱动应用上，基本都采用检测饱和压降来作为保护。

安森美MC33153方案，芯片外部采用光耦隔离，用饱和压降检测实现短路和过流保护。

MC33153成熟应用方案

HCPL-316J典型应用，芯片内部采用光耦隔离，整个驱动方案类似Infineon 1ED芯片的使用，只是Infineon采用脉冲变压器隔离。

富士系列混合驱动IC典型应用：光耦隔离驱动芯片，检测饱和压降作为过流和短路保护。