电力MOSFET和IGBT开通关断过程内部载流子运动状况？

电力MOSFET和IGBT开通关断过程内部载流子运动状况？

mosfet的开通，简单来讲，当在gate上加电压，gate电位上升超过vt，靠近gate的p型body被反形成n型channel，source和drain之间有一条衬底n+到n 外延层，到n channel再到n+的通路。n型通路里的多子，也就是电子，在电场作用下流动形成电流。关断时，gate上电势下降，channel消失，电子电流切断。漂移区电子在pn junction的内建电场下扫出漂移区。

igbt比较复杂，开通时，可以简单看成是顶部mosfet和一个pnp三极管的组合，其中pnp由p body，n 漂移区和p+ 集电极组成。mosfet的drain接到pnp的n。和mosfet一样，开通时channel形成，形成了n漂移区到n channel再到n+的通路。在电场下有由n漂移区到发射极的电子电流。这个电子电流相当于pnp三极管的基极电流，它触发了由p+和n漂移区之间的大注入，大量空穴由p+注进漂移区，在电场作用下空穴经过漂移区到顶部发射极。关断时，channel消失，漂移区的电子电流消失，空穴停止注入。然后滞留在漂移区的多余空穴在电场和复合作用下消失，该过程一般较长。（英飞凌igbt厂家）