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电力MOSFET和IGBT开通关断过程内部载流子运动状况?

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深圳逸盛通科技有限公司

时间 : 2018-09-28 23:04 浏览量 : 41

电力MOSFET和IGBT开通关断过程内部载流子运动状况?


mosfet的开通,简单来讲,当在gate上加电压,gate电位上升超过vt,靠近gate的p型body被反形成n型channel,source和drain之间有一条衬底n+到n 外延层,到n channel再到n+的通路。n型通路里的多子,也就是电子,在电场作用下流动形成电流。关断时,gate上电势下降,channel消失,电子电流切断。漂移区电子在pn junction的内建电场下扫出漂移区。


igbt比较复杂,开通时,可以简单看成是顶部mosfet和一个pnp三极管的组合,其中pnp由p body,n 漂移区和p+ 集电极组成。mosfet的drain接到pnp的n。和mosfet一样,开通时channel形成,形成了n漂移区到n channel再到n+的通路。在电场下有由n漂移区到发射极的电子电流。这个电子电流相当于pnp三极管的基极电流,它触发了由p+和n漂移区之间的大注入,大量空穴由p+注进漂移区,在电场作用下空穴经过漂移区到顶部发射极。关断时,channel消失,漂移区的电子电流消失,空穴停止注入。然后滞留在漂移区的多余空穴在电场和复合作用下消失,该过程一般较长。(英飞凌igbt厂家
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